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據(jù)貝哲斯咨詢報告顯示，2024年全球半導體市場規(guī)模達到39337.08億元（人民幣），預計到2030年將達到84718.69億元。

隨著制程工藝進入納米級，芯片內部層數(shù)增多且結構愈加復雜，對X光的穿透能力提出更高要求。

X射線憑借其高穿透性，可無損檢測內部缺陷（如晶圓凸塊橋接、Wafer內部異物雜質、內部連線斷裂等），成為不可替代的技術。

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開管射線源的核心技術長期被海外壟斷，高昂的采購與維護成本，嚴重擠壓著國內廠商的利潤空間。

日聯(lián)科研團隊歷經?8年? 持續(xù)攻關在開放式射線源技術領域取得革命性突破！

在上千次實驗測試后，團隊攻克了高密度電子束精準聚焦、兆瓦級熱載荷材料耐受性、多物理場耦合真空腔體設計等多項核心技術難題。

成功研發(fā)出國內首款開放式射線源，并實現(xiàn)產業(yè)化應用，以納米級分辨率，完成我國在高端X射線源領域從技術追趕到全球并跑的跨越式突破。

日聯(lián)開管X-RAY半導體智檢裝備AX9600

重構國產半導體“零缺陷”質控新基準！

 顛覆了傳統(tǒng)裝備在第三代半導體缺陷識別精度與失效分析瓶頸，保證了0.8μm級缺陷全捕捉、亞微米成像及零缺陷質控全流程閉環(huán)！

采用日聯(lián)自研160kV開放式微聚焦X射線源，超大幾何放大倍率，高清晰實時成像，輕松完成半導體產品爬錫高度、連錫、虛焊、漏焊、短路等封裝缺陷和空洞、裂紋等內部結構缺陷檢測。

納米級"零容忍"智檢

強穿透能力搭配高放大倍率，可輕松完成3D/系統(tǒng)級封裝、IC壓焊等工藝中多種類缺陷檢測，以及捕捉TGV（Through Glass Via）和TSV（Through Silicon Via）工藝中微小對象的纖細細節(jié)。

160kV超強穿透

搭載自研160kV開放式微聚焦X射線源，輕松穿透厚密材質，適用于檢測高密度集成電路和第三代半導體（SiC、GaN）的內部結構缺陷。

2000X超大放大

**2000倍幾何放大倍率，結合微焦點X射線源，實現(xiàn)最小0.8μm高精度檢測，清晰呈現(xiàn)比頭發(fā)絲細100倍的芯片內部結構，完成納米級缺陷分析。

360°全方位檢測

完整2.5D，360°全方位XY檢測，無死角解析隱藏在芯片底部的焊點空洞或互連橋接、斷裂等缺陷。

AI賦能"零缺陷"智檢

AI加持提升圖像質量，標配半導體自動檢測算法，可實現(xiàn)單點0.8秒快速解析，釋放人力，檢測效率較傳統(tǒng)人工提升2000%。

超分圖像復原

AI超分辨率圖像復原技術，無差別去噪，輕松獲得高清檢測圖像。 

HDR圖像優(yōu)化

全新的HDR，圖像亮度均衡，保留從最暗到最亮區(qū)域的細節(jié)，突出關鍵結構，將芯片內部結構細節(jié)還原度提升30%。

重構人機協(xié)同新范式

34寸全景曲面

提供21:9超寬視域，全景視域覆蓋，可進行多窗口操作，實現(xiàn)跨尺度數(shù)據(jù)聯(lián)動。

雙搖桿協(xié)同操作

雙搖桿控制多動作操作，輕松完成產品多角度觀測。

電動升降鍵盤架

按鈕控制鍵盤架自動升降，輕松調整到合適的高度，滿足不同身高檢測員操作需求。

防夾電控門

按鈕一鍵自動開合，具有防夾功能，輕松提升操作便捷性。

經過嚴苛產業(yè)化驗證周期，AX9600在多個**生產基地實現(xiàn)部署，其突破性的百納米級缺陷追溯能力大幅提升先進封裝工藝的檢測精度，推動行業(yè)良率突破歷史性閾值。

該設備成功扭轉高端檢測裝備長期依賴進口的產業(yè)格局，帶動國產設備市占率實現(xiàn)跨越式提升。市場驗證表明，該創(chuàng)新產品不僅構建起第三代半導體檢測的新標準體系，更形成顯著的商業(yè)價值轉化。

隨著產品在集成電路和半導體領域的持續(xù)滲透，該設備已顯現(xiàn)出強勁的持續(xù)增長動能，驅動日聯(lián)價值進階。目前，開管系列X射線檢測設備更多型號正在順利研發(fā)中，后續(xù)將陸續(xù)推出并實現(xiàn)產業(yè)化，相關設備家族將日益龐大。